中科半导体量产CT1906H驱动芯片
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中科半导体量产CT1906H驱动芯片
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中科半导体宣布量产CT1906H运动控制芯片,采用单片集成GaN HEMT工艺,将6路GaN半桥功率管和3通道栅极驱动集成进5×5mm LGA封装,面向外径14–45mm的微型伺服关节。 据中科半导体称,CTUnite平台在48V供电、芯片结温64℃条件下实测可持续输出13.65A,对应功率655W;在30×30mm驱动板、无外置散热片、密闭模拟工况下,48V供电、结温73℃时持续输出392W。 上述数据来自平台实测,芯片的实际表现仍需大批量装机与长期工况老化测试进一步验证。
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最新进展10月31日 09:00
中科半导体量产CT1906H驱动芯片,5×5mm封装集成三相GaN驱动报道时间线
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10月31日
- 高工咨询 · 微信公众号中科半导体量产CT1906H驱动芯片,5×5mm封装集成三相GaN驱动
中科半导体量产CT1906H运动控制芯片,用单片集成GaN HEMT工艺把6路GaN半桥功率管和3通道栅极驱动收进5×5mm LGA封装,面向外径14–45mm的微型伺服关节。
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